我們推薦美(měi)國(guó)Micro-Chem SU-8 2000系列 和(hé)升級版後 SU-8 3000系列搭配顯影液 SU-8 Developer 可以達到完美(měi)的(de)使用效果

SU- 8在受到紫外(wài)輻射後發生(shēng)交聯，是一種化(huà)學擴大負性膠，可以形成台階等結構複雜(zá)的(de)圖形；且 SU- 8膠不導電(diàn)，在電(diàn)鍍時(shí)可以直接作(zuò)為(wèi)絕緣體(tǐ)使用。由于具有(yǒu)較多優點，SU- 8膠正被逐漸應用于 MEMS、芯片封裝和(hé)微(wēi)加工(gōng)等領域。目前，直接采用 SU- 8光(guāng)刻膠來(lái)制備深寬比高(gāo)的(de)微(wēi)結構與微(wēi)零件(jiàn)已經成為(wèi)微(wēi)加工(gōng)領域的(de)一項新技(jì)術。
SU 8光(guāng)刻膠光(guāng)刻前清洗工(gōng)藝：
為(wèi)了獲得更好(hǎo)的(de)光(guāng)刻效果，在進行光(guāng)刻膠旋塗之前，需要對(duì)基材進行清洗。常用的(de)清洗方法是利用濃硫酸及雙氧水(shuǐ)的(de)混合溶液浸泡，随後用去(qù)離子(zǐ)水(shuǐ)清洗并用氮氣吹幹。除此之外(wài)還(hái)可以利用反應離子(zǐ)刻蝕或等離子(zǐ)表面清洗儀清洗。
SU 8光(guāng)刻膠
光(guāng)刻工(gōng)藝：
将 SU- 8光(guāng)刻膠組分旋塗在基材上(shàng)，旋塗厚度幾幾百微(wēi)米。塗覆晶片經過前烘并冷(lěng)卻室溫。在烘幹過程中，優先選擇加熱均勻且溫度控制精确的(de)加熱闆；不能使用鼓風(fēng)幹燥箱，防止因為(wèi)光(guāng)刻膠表面優先固化(huà)從(cóng)而阻止內(nèi)層光(guāng)刻膠溶劑的(de)揮發。冷(lěng)卻後，将負光(guāng)掩模與塗覆晶片接觸并在汞燈的(de)紫外(wài)輻射劑量10-250mJ/㎝²條件(jiàn)下(xià)進行曝光(guāng)。曝光(guāng)結束後，選擇合适的(de)烘烤溫度及時(shí)間(jiān)。将晶片在顯影液中浸漬顯影，随後用氮氣吹幹。
SU-8光(guāng)刻膠
的(de)優點：
1、SU-8光(guāng)刻膠在近(jìn)紫外(wài)光(guāng)(365nm- 400nm)範圍內(nèi)光(guāng)吸收度很(hěn)低(dī)，且整個(gè)光(guāng)刻膠層所獲得的(de)曝光(guāng)量均勻一緻，可得到具有(yǒu)垂直側壁和(hé)高(gāo)深寬比的(de)厚膜圖形；
2、SU-8光(guāng)刻膠具有(yǒu)良好(hǎo)的(de)力學性能、抗化(huà)學腐蝕性和(hé)熱穩定性；
3、SU-8在受到紫外(wài)輻射後發生(shēng)交聯，是一種化(huà)學擴大負性膠，可以形成台階等結構複雜(zá)的(de)圖形；
4、SU-8膠不導電(diàn)，在電(diàn)鍍時(shí)可以直接作(zuò)為(wèi)絕緣體(tǐ)使用。
由于具有(yǒu)較多優點，SU-8 膠正被逐漸應用于 MEMS、芯片封裝和(hé)微(wēi)加工(gōng)等領域。目前，直接采用 SU8光(guāng)刻膠來(lái)制備深寬比高(gāo)的(de)微(wēi)結構與微(wēi)零件(jiàn)已經成為(wèi)微(wēi)加工(gōng)領域的(de)一項新技(jì)術。在微(wēi)流控芯片加工(gōng)中，SU-8主要用于快速模塑法加工(gōng)PDMS微(wēi)流控芯片。

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